Allerede i 1928 ble den såkalte Raman-effekten oppdaget. Kort fortalt er dette en laserteknologi som yter hele 10 tusen ganger mer enn tradisjonelle løsninger når den blir benyttet i silisiummateriale. Problemet var å få lyset gjennom silisiumet uten hindringer, noe Intels forskere nå altså har løst.Gjennombruddet kan gjøre det mulig å kombinere silisiumets transistor-egenskaper med optiske løsninger, og dermed oppnå en langt større datagjennomstrømming enn med eksisterende teknologi.Optiske signaler er kjent for sin evne til å overføre data langt hurtigere enn elektriske, men det har vært både for kostbart og komplisert å benytte optiske signaler inne i brikkene og mellom dem. Intels gjennombrudd kan forandre alt dette.Intels forskere tar alle forbehold om at det er for tidlig å spå om hvordan og når gjennombruddet kan gjøres tilgjengelig i markedet. Men gjennombruddet kan bane vei for en helt ny måte å sy sammen datasystemer på, der store datamengder kan sendes over korte avstander langt hurtigere enn i dag. Intels mål er å utvikle kommersielle produkter basert på denne teknologien innen utgangen av dette tiåret.